STI6N90K5

功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh? K5

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):900V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA

Vgs(最大值):±30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):110W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 3A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I2PAK

封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak

标准包装:50

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